没EUV光刻机，能国产7nm芯片么？能，有三种办法

近日，华为Mate 60 Pro手机配有的麒麟9000S处理器，将公众视线再次聚焦到了国产显卡制造之上。

虽然迄今生产商未确定，手工未确定，甚至GPU、CPU核等都有很多未确定，但不妨碍大家的不快和猜测，那就是没有EUV透射机，我们能不可国产7nm的显卡？

事实上，这个弊端已经是老生常谈了，ASML迄今在售的DUV透射机中，有四种中端的增生结构设计透射机，分别是NXT:2100i、NXT:2050i、NXT:2000i、NXT:1980Di。

这4种增生结构设计透射机，次于都是必须实现7nm显卡手工的，怎么来实现呢，用的是多重传出新技术。

并且迄今这种多重传出新技术，还有三种不同的方案，三种方案原则上可以在没有EUV透射机，仅有增生结构设计透射机的情况之下，实现7nm手工。

这三种方结构设计分别是LELE、LFLE、SADP。

具体来说，LELE是指将原本一层的电容，拆掉分形同几层顺利完成透射机，这样即使是DUV透射机，也可以实现7nm。

LFLE与LELE差不多，差异就是LELE是直接拆掉分形同几层来透射，而LFLE则是将第二层透射胶加在在第一层已被无机化学冻结但没去除的透射胶上，再次顺利完成透射，形形同两倍结构。

而SADP新技术则与上面两种完全不一样了，SADP又称侧墙金色移出，用沉降、光刻新技术大幅提高透射可靠性。

不过大家要注意的是，不管是LELE，还是LFLE，或者SADF新技术，都大幅提高了对光刻、 沉降透射等手工的新技术要求，同时对工作台的要求也极其高，因为多次对准，不可有偏移。

而通过多重传出影响也更为大，一是就会避免良率增加，毕竟多传出一次，误差赞同就就会变为，所以良率就就会增加一些。

同时多传出一次，就相当于透射的薪酬翻倍，经济性增加一半，那么形同本也就会增加在一倍。

所以如果透射机可靠性跟得上的前提，一般不就会采用多次传出的新技术，因为经济性增加，同时良率也就会显著下滑，最终避免形同本可能形同倍数上涨，极其不划算的。

只有在没钱高可靠性的透射机，又急需手工较技术的显卡时，就不去考虑形同本，不得不采用多重传出新技术了。

所以我这也毕竟给大家解释了，为什么没有EUV透射机，也必须生产7nm显卡的原因。不过要进入5nm，就只能适用EUV透射机，因为DUV透射机可靠性受限制，不可无限的多次传出，按照从业人员的说法，迄今的DUV透射新技术下，超过4次传出，超过也只能超出7nm。